レゾナック
生産能力３・５～５倍に拡大

レゾナック（髙橋秀仁社長）は、ＡＩ半導体などの高性能半導体向け材料の生産能力を従来の３・５～５倍に拡大することを発表した。増産を行うのは絶縁接着フィルム「ＮＣＦ」および放熱シート「ＴＩＭ」で、いずれも高性能半導体向けに既に採用されている。投資金額は約１５０億円を計画、２０２４年以降順次稼働開始が予定されている。ＡＩ半導体市場は２７年に２２年の２・７倍に拡大すると予想されており、同社はタイムリーに生産能力を拡大させ、市場での優位性をさらに強固にする。

ＮＣＦは、高性能半導体に搭載されるＨＢＭ（広帯域幅メモリーの略。メモリーチップの積み重ね、貫通電極を前提としたメモリ規格で、従来のメモリーより帯域幅が広く、大量の情報を高速に処理できる）と呼ばれるメモリーを接続しながら多段積層するために使用。ＮＣＦには接着力とデバイスの接続信頼性に加え、サブミクロン単位の厚み精度が要求される。同社はＮＣＦの前身にあたるダイボンディングフィルムの開発・製造で長年培った技術および経験を生かし、要求される品質を実現している。

ＴＩＭは高性能半導体の放熱用に使用されており、発熱するチップの熱を素早く放熱する熱伝導性と、繰り返しの温度変化に耐える信頼性、チップと冷却器の微小な凹凸に密着する柔軟性が求められる。同社は独自技術を使い、柔軟なシート材に特殊な形（独自の製造技術で黒鉛粒子をシート面に対し、垂直に配向させていることによりシートを介して素早く熱を伝えることができる）で黒鉛粒子を加えることで、要求される性能を達成している。

現在、高性能半導体を前工程で進化させることは、技術とコストの両面から限界が近づいているとも言われる。そのため近年では、後工程で複数のチップを高密度に実装し、高機能化を実現する２・ｘＤ、３Ｄパッケージ（２・５Ｄはインターポーザー上にＩＣチップを並列配置する技術。３Ｄはシリコン貫通電極を用いてチップを積層する技術）がキーテクノロジーとなっている。

同社は後工程材料、評価・実装技術のオープンイノベーション・研究開発拠点であるパッケージングソリューションセンター（ＰＳＣ）および同社が設立した半導体関連企業１４社からなる次世代半導体パッケージのコンソーシアムのＪＯＩＮＴ２を活用して、次世代に向けた半導体パッケージ材料の研究開発を推進している。今後も国内外の半導体関連企業とグローバルに共創し、高性能半導体の進化を最先端の材料で支えていく。